| 发明名称 | 一种p型CdS纳米线的制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种p型CdS纳米线的制备方法，包括：(1)将CdS粉末和Sn粉末按质量比2～4∶1混合置于管式炉的三氧化二铝舟上，以p型硅基片为衬底，放入原材料下风方向的三氧化二铝舟中；(2)持续抽真空控制炉内压力为200～300Torr，同时通入流量为50～100sccm的氩气；(3)控制反应管温度为800～900℃，保温2～4h后，自然冷却至室温，即得。本发明制备工艺简单易行，采用一步法即可完成，重复性好，克服了p型CdS纳米线制备的困难且稳定性好；所得产物有望大大推进基于CdS纳米线光电器件的发展，特别是有望解决宽带隙II-VI半导体材料p型掺杂的技术难题。 | ||
| 申请公布号 | CN101979723A | 申请公布日期 | 2011.02.23 |
| 申请号 | CN201010555495.6 | 申请日期 | 2010.11.23 |
| 申请人 | 东华大学 | 发明人 | 王春瑞;蔡俊晟;徐靖;王洪云;叶茂林 |
| 分类号 | C30B29/50(2006.01)I;C30B29/62(2006.01)I;C30B23/00(2006.01)I;H01L31/0296(2006.01)I | 主分类号 | C30B29/50(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海泰能知识产权代理事务所 31233 | 代理人 | 黄志达;谢文凯 |
| 主权项 | 一种p型CdS纳米线的制备方法，包括：(1)将CdS粉末和Sn粉末按质量比2～4∶1混合置于管式炉的三氧化二铝舟上，以p型硅基片为衬底，放入原材料下风方向的三氧化二铝舟中；(2)持续抽真空控制炉内压力为200～300Torr，同时通入流量为50～100sccm的氩气；(3)控制反应管中央温度为800～900℃，保温2～4h后，自然冷却至室温，即得。 | ||
| 地址 | 201620 上海市松江区松江新城人民北路2999号 | ||