蚀刻硅晶片边缘的方法

摘要

本发明主要涉及硅晶片的制造，更特别地涉及用于蚀刻硅晶片边缘的边缘蚀刻装置和方法。

主权项

一种从硅晶片表面去除硅的方法，所述晶片包括中心轴线、与所述中心轴线总体垂直的前表面和后表面、外周边缘、从所述中心轴线延伸到沿所述晶片的外周边缘的一点的半径R、沿着所述晶片的外周边缘离所述中心轴线最近的点、以及所述晶片的前表面和后表面的边缘部，所述边缘部从所述最近的外周边缘点延伸到在所述最近的外周边缘点与所述中心轴线之间的、距离所述最近的外周边缘点不超过大约15mm的点，该方法包括：使蚀刻剂接触(i)所述晶片的外周边缘，(ii)所述晶片的前表面的边缘部，和(iii)所述晶片的后表面的边缘部，其中在将所述晶片的前表面的平面度减小大约50％以上之前，使所述外周边缘以及所述前表面和后表面的边缘部与蚀刻剂接触。