晶体硅太阳能电池

摘要

本实用新型公开了一种晶体硅太阳能电池，其结构依次为正面栅状金属电极、窗口层、第二导电类型重掺杂层、第一导电类型轻掺杂晶体硅衬底、第一导电类型重掺杂层、背面电极，本实用新型通过设置“薄”且高掺杂的第二导电类型重掺杂层以及“透明”且“导电”的窗口层，本实用新型的晶体硅太阳能电池结构，能降低复合损失、欧姆损失和遮挡损失，可将其转换效率提高至少10％以上。

主权项

一种晶体硅太阳能电池，其结构依次为正面栅状金属电极(32)、窗口层(33)、第二导电类型重掺杂层(35)、第一导电类型轻掺杂晶体硅衬底(37)、背面电极(39)，其中，所述的第二导电类型重掺杂层(35)与所述的第一导电类型轻掺杂晶体硅衬底(37)一起构成同质p n结，所述的窗口层(33)对AM1.5条件下的太阳光谱中波长在0.39～1.1μm范围内的太阳光的平均透过率≥70％；所述的晶体硅太阳能电池的每平方厘米上的串联电阻≤4Ω。