发明名称 薄膜型太阳能电池及其制作方法
摘要 本发明涉及太阳能电池技术领域,具体涉及一种衬底基板表面为平行的沟槽形结构的薄膜型太阳能电池及其制作方法,一种薄膜型太阳能电池,包括基板、设置在基板上的一层用作太阳能电池前电极的透明前电极导电薄膜、设置在透明前电极导电薄膜上的进行光电转换的半导体材料层、设置在半导体材料层上的一层以铝或银制成的用作太阳能电池背电极的背电极层薄膜。基板表面由平行的沟槽形结构构成,子电池的分割处位于基板沟槽的槽边缘,其各子电池的串联也位于沟槽边缘,避免了子电池间的“死光区”。
申请公布号 CN101980369A 申请公布日期 2011.02.23
申请号 CN201010266610.8 申请日期 2010.08.30
申请人 河南安彩高科股份有限公司 发明人 苍利民;万志刚;刘卫庆;闫韬;关军占;关丽哲
分类号 H01L31/042(2006.01)I;H01L31/0352(2006.01)I;H01L31/0224(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I 主分类号 H01L31/042(2006.01)I
代理机构 郑州科维专利代理有限公司 41102 代理人 亢志民;张欣棠
主权项 一种薄膜型太阳能电池,包括基板(301)、沉积在基板(301)上的一层用作太阳能电池前电极的透明前电极导电薄膜(302)、设置在透明前电极导电薄膜(302)上的进行光电转换的半导体材料层(303)、设置在半导体材料层(303)上的一层以铝或银制成的用作太阳能电池背电极的背电极层薄膜(304),其特征在于:用于沉积薄膜的基板(301)表面由互相平行、间隔相等的沟槽形结构构成。
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