| 发明名称 | 嵌入式电容结构 | ||
| 摘要 | 一种埋入电容结构(100)，包括：主体； 至少一个埋入电容(102，104)，其具有形成于主体中的第一电极(108)、介质层、和第二电极(118)；以及形成于主体中的至少一个孔电连接(110，112)；其中至少一个第一和第二电极(108，118)没有直接电连接到该孔电连接(110，112)。 | ||
| 申请公布号 | CN101189925B | 申请公布日期 | 2011.02.23 |
| 申请号 | CN200680018071.8 | 申请日期 | 2006.03.23 |
| 申请人 | 新加坡科技研究局 | 发明人 | 卢志卫;乐文肯;王志昆;卫莱莱 |
| 分类号 | H05K3/46(2006.01)I;H01L23/48(2006.01)I;H01L23/66(2006.01)I;H01G4/00(2006.01)I | 主分类号 | H05K3/46(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京汇泽知识产权代理有限公司 11228 | 代理人 | 张颖玲 |
| 主权项 | 一种基片结构，包括主体；形成于主体中的至少一个埋入电容结构，该埋入电容结构包括第一电极层、介质层和第二电极层；形成于主体中的至少一个电源或接地面；以及形成于主体中的至少一个孔电连接，该孔电连接被连接到电源或接地面中之一；其中第一和第二电极层中的一个没有直接电连接到该孔电连接；其中没有电连接到孔电连接的电极层用作高频去耦器；其中没有电连接到孔电连接的电极层选择成电阻性的，或者通过控制没有电连接到孔电连接的电极层的厚度，提供阻尼以抑制由电源层空腔效应所引起的共振。 | ||
| 地址 | 新加坡 | ||