发明名称 电阻率检查方法及其装置
摘要 以非破坏、非接触、高效率且高精度计测透明导电膜的电阻率为目的。提供一种电阻率检查装置,具备:光照射装置(3),其将具有通过事先进行的检查条件选定方法选定的波长的P偏振光的照明光以通过该方法选定的入射角对在制造生产线上输送的透光性基板上成膜的透明导电膜从膜面侧进行照射;光检测装置(2),其检测在透明导电膜反射的反射光;信息处理装置(7),其基于检测到的光的强度,算出与该波长有关的反射光的光量的评价值,使用将评价值与电阻率预先建立关联的相关特性,由算出的所述评价值求出电阻率。
申请公布号 CN101981431A 申请公布日期 2011.02.23
申请号 CN200980111369.7 申请日期 2009.07.02
申请人 三菱重工业株式会社 发明人 坂井智嗣;高野晓巳;小林靖之;山口贤刚
分类号 G01N21/21(2006.01)I;G01N21/35(2006.01)I;G01R27/02(2006.01)I;H01L31/04(2006.01)I 主分类号 G01N21/21(2006.01)I
代理机构 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 代理人 高培培;车文
主权项 一种检查条件选定方法,选定用于透明导电膜的电阻率检查的照明光的波长及入射角,其中,相对于膜厚及电阻率的组合不同的多个透明导电膜,照射由波长及入射角构成的检查条件分别不同的P偏振光的照明光,分别测定其反射光的光量的评价值,求出将包含所述透明导电膜的膜厚及电阻率的组合在内的样品条件、所述检查条件及所述评价值建立关联的相关关系,在所述相关关系中,选定所述透明导电膜的膜厚的差异引起的所述评价值的误差在容许范围内且与所述电阻率的变化相对的所述评价值的变化在规定值以上的所述检查条件。
地址 日本东京都