| 发明名称 | 成膜方法和半导体装置的制造方法 | ||
| 摘要 | 一种成膜方法，包括：在硅基板表面形成氧化膜的工序；对所述氧化膜进行蚀刻，利用所述氧化膜形成界面氧化膜，使得利用XPS法测定的所述界面氧化膜的膜厚为以以上的工序；和利用MOCVD法，在氧化气氛中在所述界面氧化膜上形成HfO2膜的工序。 | ||
| 申请公布号 | CN101981671A | 申请公布日期 | 2011.02.23 |
| 申请号 | CN200980111184.6 | 申请日期 | 2009.01.23 |
| 申请人 | 东京毅力科创株式会社 | 发明人 | 下村晃司;上野哲嗣;青山真太郎;中村源志 |
| 分类号 | H01L21/316(2006.01)I;H01L21/205(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/316(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人 | 龙淳 |
| 主权项 | 1.一种成膜方法，其特征在于，包括：在硅基板表面形成氧化膜的工序；对所述氧化膜进行蚀刻，利用所述氧化膜形成界面氧化膜，使得利用XPS法测定的所述界面氧化膜的膜厚为<img file="FPA00001232273700011.GIF" wi="102" he="53" />以下<img file="FPA00001232273700012.GIF" wi="100" he="53" />以上的工序；和利用MOCVD法，在氧化气氛中在所述界面氧化膜上形成HfO<sub>2</sub>膜的工序。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||