氮化物半导体元件及其制造方法

摘要

氮化物半导体发光元件(100)具备：以m面(12)为表面的GaN基板(10)、在GaN基板(10)的m面(12)上形成的半导体层叠构造(20)、在半导体层叠构造(20)上形成的电极(30)。电极(30)包括由从由Pt、Mo以及Pd构成的群中选择的金属和Mg构成的Mg合金层(32)，Mg合金层(32)与半导体层叠构造(20)中的p型半导体区域的表面接触。

主权项

一种氮化物半导体元件，具备：氮化物半导体层叠构造，其具有表面为m面的p型半导体区域；和电极，其设置在所述p型半导体区域上，所述p型半导体区域由AlxInyGazN半导体形成，所述电极与所述p型半导体区域的所述表面接触，包括由Mg和从由Pt、Mo以及Pd构成的群中选择的金属构成的Mg合金层，其中x+y+z＝1，x≥0，y≥0，z≥0。