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一种薄膜电晶体基板，其包括：一玻璃基底；一闸极，设置于该玻璃基底上；一闸极绝缘层，覆盖具有该闸极之玻璃基底；一非晶矽层及一欧姆接触层，该非晶矽层及该欧姆接触层对应该闸极，层叠设置于该闸极绝缘层上；一源极及一汲极，设置于该欧姆接触层上，且与该欧姆接触层电连接；其中，该欧姆接触层包括一重掺杂复晶矽层。如申请专利范围第1项所述之薄膜电晶体基板，其中，该欧姆接触层之层数为二，分别为一重掺杂复晶矽层及一金属矽化物层，该金属矽化物层设置于该重掺杂复晶矽层与该源极及汲极之间，以传输电讯号。如申请专利范围第2项所述之薄膜电晶体基板，其中，该金属矽化物层之材料系钛化矽合金、钴化矽合金或镍化矽合金之一。一种薄膜电晶体基板的制造方法，其包括：提供一玻璃基底；于一道光罩制程中，形成一闸极于该玻璃基底上；于一道光罩制程中，依序形成一闸极绝缘层、一非晶矽层及一欧姆接触层于该玻璃基底上，其中，该欧姆接触层包括一重掺杂复晶矽层；于一道光罩制程中，形成一源极及一汲极，该源极及该汲极对应该闸极，设置于该欧姆接触层上，且与该欧姆接触层电连接。如申请专利范围第4项所述之薄膜电晶体基板的制造方法，其中，制造该欧姆接触层的光罩制程，进一步包括依序沉积一闸极绝缘层、一非晶矽薄膜及一重掺杂非晶矽层薄膜于具有该闸极之玻璃基底。如申请专利范围第5项所述之薄膜电晶体基板的制造方法，其中，采用准分子雷射扫描该重掺杂非晶矽层薄膜，使该重掺杂非晶矽层薄膜再结晶成重掺杂复晶矽薄膜。如申请专利范围第4项所述之薄膜电晶体基板的制造方法，其中，该欧姆接触层之层数为二，分别为一重掺杂复晶矽层及一金属矽化物层，制造该欧姆接触层的光罩制程，进一步包括依序沉积一闸极绝缘层、一非晶矽薄膜、一重掺杂非晶矽层薄膜及一金属薄膜于具有该闸极之玻璃基底。如申请专利范围第7项所述之薄膜电晶体基板的制造方法，其中，采用准分子雷射扫描该金属薄膜，该重掺杂非晶矽层薄膜再结晶成重掺杂复晶矽薄膜的同时，形成该金属矽化薄膜。如申请专利范围第5或第7项之一所述之薄膜电晶体基板的制造方法，其中，该非晶矽薄膜之厚度1500nm，该重掺杂非晶矽层薄膜之厚度为500nm。如申请专利范围第6或第8项之一所述之薄膜电晶体基板的制造方法，其中，该准分子雷射之脉冲频率为300Hz，脉冲宽度小于25ns，能量密度小于250mJ/cm2。如申请专利范围第8项所述之薄膜电晶体基板的制造方法，其中，该金属薄膜的材质为钛、钴及镍，其对应形成之金属矽化物层之材质一般为钛化矽合金、钴化矽合金及镍化矽合金。如申请专利范围第4项所述之薄膜电晶体基板的制造方法，其中，该闸极绝缘层之材质一般为氮化矽，其厚度为300nm。 |
