| 主权项 |
一种直接式晶片接合结构，包含：一具有一第一主表面的支撑基板；一耦接至该第一主表面的电子晶片，其中该电子晶片包括一在一外表面上的结合衬垫；一耦接至该结合衬垫之传导性柱头螺栓；一覆盖该电子晶片及该第一主表面之一部分的保护层，其中该保护层具有一开口，以暴露该传导性柱头螺栓；一形成叠加于该传导性柱头螺栓上的障壁层；及一耦接至该障壁层的焊料球。如请求项1之结构，其中该障壁层厚度为约2微米至约7微米。如请求项1之结构，其中该支撑基板包含一具有一旗标的金属引线框。一种用于形成一电子封装的方法，包含以下步骤：将一电子晶片接合至一支撑基板，其中该电子晶片包括一在一外表面上的结合衬垫；将一传导性柱头螺栓接合至该结合衬垫；封装该电子晶片，以形成一具有一上表面的子总成；在该上表面中形成一开口，以暴露该传导性柱头螺栓；形成叠加于该传导性柱头螺栓上之一障壁层；及将一焊料凸块接合至该障壁层。如请求项4之方法，其中该形成该障壁层之步骤包括形成一镍障壁层。如请求项4之方法，其中该形成该障壁层之步骤包含以下步骤：置放该子总成于一无电镀敷浴中；及向该开口注射镀敷溶液以形成叠加于该传导性柱头螺栓上之该障壁层。如请求项6之方法，进一步包含遮蔽该支撑基板之步骤。如请求项4之方法，其中该接合该传导性柱头螺栓之步骤包括接合一金柱头螺栓。一种用于形成一直接式晶片接合元件的方法，包含以下步骤：提供一包含一引线框之子总成、一接合至该引线框的晶片、一形成于该晶片之一外表面上的结合衬垫、一接合至该结合衬垫的传导性凸块，及一覆盖该晶片的封装层，其中该封装层具有一开口，以暴露该传导性凸块；将该子总成置放于一无电镀敷溶液中；及向该开口注射无电镀敷溶液，以形成叠加于该传导性凸块上之一障壁层。如请求项9之方法，进一步包含将一焊料凸块耦接至该障壁层之步骤。 |
