| 摘要 |
1. Способ изготовления омического контакта к GaAs на основе тонких пленок Ge и Cu, включающий создание на поверхности пластины n-GaAs маски для реализации процесса обратной литографии, послойное осаждение пленок Ge и Сu на поверхность пластины n-GaAs, первую термообработку в едином вакуумном цикле с процессом осаждения слоев, извлечение пластины n-GaAs из вакуумной камеры, удаление маски и вторую термообработку, отличающийся тем, что первую термообработку производят в атмосфере атомарного водорода при температуре от 150 до 460°С и плотности потока атомов водорода на поверхность пластины n-GaAs, равной 1013-1016 ат·см2 с-1. ! 2. Способ изготовления омического контакта к GaAs по п.1, отличающийся тем, что осаждение металлизации и первую термообработку проводят в вакуумной камере при давлении остаточной атмосферы менее 5·10-6 торр. ! 3. Способ изготовления омического контакта к GaAs по п.1 или 2, отличающийся тем, что сначала на поверхность пластины n-GaAs осаждают пленку Cu, а затем пленку Ge. ! 4. Способ изготовления омического контакта к GaAs по п.3, отличающийся тем, что толщины пленок Cu и Ge выбирают таким образом, что массовое содержание Ge в двухслойной композиции составляет 20-45%. ! 5. Способ изготовления омического контакта к GaAs по п.1 или 2, отличающийся тем, что осаждение на поверхность пластины n-GaAs пленок Сu и Ge производят одновременно, либо из сплава CuGex, либо из двух независимых источников Сu и Ge с образованием пленки CuGex, где х=0,2-0,45. |
