发明名称 Verfahren zur Herstellung eines Halbleiter-Bauelements
摘要 <p>Verfahren zur Herstellung eines Halbleiter-Bauelements (2), insbesondere einer Emitter-Wrap-Through-(EWT-) Solarzelle, umfassend die folgenden Schritte: Bereitstellen eines flächigen Halbleiter-Substrats (2) mit einer ersten Seite (3), einer dieser gegenüberliegenden zweiten Seite (4) und einer senkrecht auf den Seiten (3, 4) stehenden Flächennormalen (5), Aufbringen einer Passivierungs-Schicht (9 Einbringen von Löchern (11) in das Halbleiter-Substrat (2) mittels eines Flüssigkeitsstahl geführten Lasers, wobei die Löcher (11) das Halbleiter-Substrat (2) mit der Passivierungs-Schicht (9, 10) vollständig durchdringen, Herstellen und Kontakt-Strukturen in elektrischem Kontakt mit dem Halbleiter-Substrat (2), wobei die Kontakt-Strukturen mindestens einen Basis-Kontakt (14) und mindestens einen Emitter-Kontakt (13) umfassen, zumindest teilweise auf der zweiten Seite (4) des Halbleiter-Substrats (2) angeordnet sind, und wobei das Herstellen der Kontakt-Strukturen ein Aufbringen von Nickel auf das Halbleiter-Substrat (2) und anschließende Diffusion des Nickels in das Halbleiter-Substrat (2) umfasst.</p>
申请公布号 DE102009037217(A1) 申请公布日期 2011.02.17
申请号 DE20091037217 申请日期 2009.08.12
申请人 SOLARWORLD INNOVATIONS GMBH 发明人 BITNAR, BERND;NEUHAUS, HOLGER
分类号 H01L31/18;H01L21/283;H01L31/068 主分类号 H01L31/18
代理机构 代理人
主权项
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