| 发明名称 | 背照式碲镉汞长波光导型红外面阵探测器 | ||
| 摘要 | 本专利公开了一种背照式碲镉汞长波光导型红外面阵探测器，其特征在于，包括：一硒化锌衬底；一通过环氧胶固定在衬底上的碲镉汞薄片；与衬底接触的碲镉汞薄片面带有阳极氧化层与ZnS增透层，通过光刻在碲镉汞薄片表面的双层钝化面上形成光敏元面阵，及分别位于光敏元二端的信号引出电极区和公共电极区。信号引出电极区与公共电极区，均从采光面的背面引出，在规定的区域生长铟柱，信号读出电路板生长铟柱，采用铟柱互连的方式。将芯片电极的铟柱和电极板的铟柱连在一起。信号和公用电极区上依次生长有铟层、金层，铟柱。构成背照式碲镉汞长波光导型红外面阵探测器。 | ||
| 申请公布号 | CN101728403B | 申请公布日期 | 2011.02.16 |
| 申请号 | CN200910226302.X | 申请日期 | 2009.11.18 |
| 申请人 | 中国科学院上海技术物理研究所 | 发明人 | 赵水平;朱龙源;李向阳;刘诗嘉;兰添翼;王妮丽;蔡子健;贾嘉 |
| 分类号 | H01L27/144(2006.01)I;H01L23/498(2006.01)I;H01L21/60(2006.01)I;G01J1/02(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/144(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海新天专利代理有限公司 31213 | 代理人 | 郭英 |
| 主权项 | 1.一种背照式碲镉汞长波光导型红外面阵探测器，它包括芯片和电路两部分，其特征在于：所述探测器的芯片结构为在硒化锌衬底(1)上，通过低温环氧胶(2)贴上厚度为10μm碲镉汞薄片(5)，与硒化锌衬底(1)接触的碲镉汞薄片(5)的接触面先后长有<img file="FSB00000322747300011.GIF" wi="128" he="52" />厚度的阳极氧化层(4)与<img file="FSB00000322747300012.GIF" wi="158" he="53" />厚度的ZnS增透层(3)，碲镉汞薄片(5)的另一面依次生长厚度为<img file="FSB00000322747300013.GIF" wi="130" he="54" />的铟层(6)与厚度为<img file="FSB00000322747300014.GIF" wi="155" he="53" />的金层A(7)作为导电电极，碲镉汞薄片(5)的另一面再生长一层厚度为<img file="FSB00000322747300015.GIF" wi="155" he="53" />的SiO2绝缘层A(14)，最后生长10μm高的铟柱A(13)；所述的探测器的电路结构为：在双面抛光的蓝宝石基板(12)上面依次生长厚度为<img file="FSB00000322747300016.GIF" wi="129" he="60" />的铬层(11)与厚度为<img file="FSB00000322747300017.GIF" wi="183" he="53" />的金层B(10)作为电极，金层B(10)上再生长一层厚度为<img file="FSB00000322747300018.GIF" wi="170" he="53" />的SiO2绝缘层B(9)与10μm高的铟柱B(15)；所述探测器的芯片部分和电路部分通过铟柱互连技术使芯片的铟柱A(13)与电路的铟柱B(15)进行互连而结合在一起，利用低温环氧填充胶(8)对互连好的探测器结构空隙进行导引灌封。 | ||
| 地址 | 200083 上海市玉田路500号 | ||