| 发明名称 | 制造半导体器件的方法及所制造出的半导体器件 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种制造半导体器件的方法及所制造出的半导体器件。这里教导了制造包括半导体衬底和异质半导体区的半导体器件的方法以及所生成的器件，其中该异质半导体区包括带隙不同于半导体衬底的带隙、并接触半导体衬底的第一表面的一部分的异质半导体材料。该方法包括在半导体衬底的第一表面的暴露部分上和异质半导体材料的暴露表面上沉积第一绝缘膜，以及通过在氧化气氛中进行热处理来在第一绝缘膜与半导体衬底和异质半导体区域的面向第一绝缘膜的表面之间形成第二绝缘膜。 | ||
| 申请公布号 | CN101320688B | 申请公布日期 | 2011.02.16 |
| 申请号 | CN200810110641.7 | 申请日期 | 2008.06.06 |
| 申请人 | 日产自动车株式会社 | 发明人 | 山上滋春;星正胜;林哲也;田中秀明 |
| 分类号 | H01L21/283(2006.01)I;H01L21/31(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I;H01L29/423(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/283(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人 | 刘新宇;陈立航 |
| 主权项 | 一种制造半导体器件的方法，所述半导体器件包括半导体衬底和异质半导体区，所述异质半导体区包括带隙不同于所述半导体衬底的带隙、并接触所述半导体衬底的第一表面的一部分的异质半导体材料，所述方法包括：在所述半导体衬底的所述第一表面的暴露部分上和所述异质半导体材料的暴露表面上沉积第一绝缘膜；以及通过在氧化气氛中进行热处理来在所述第一绝缘膜与所述半导体衬底和所述异质半导体区的面向所述第一绝缘膜的表面之间形成第二绝缘膜。 | ||
| 地址 | 日本神奈川县 | ||