同轴型微波辅助沉积与蚀刻系统

摘要

所揭示为利用导入外加的处理参数以获得改进的薄膜性质的系统，所述参数例如微波源的可移动的位置、提供给微波源的脉冲功率，并通过微波源辅助来扩大可操作范围和处理窗口。同轴微波天线用于发射出微波来协助物理气相沉积(PVD)或化学气相沉积(CVD)系统。该系统可使用位于处理腔室内的同轴微波天线，其中该天线可在基板和诸如溅镀靶材、平面电容性方式所产生的等离子体源、或感应耦合源之类的等离子体源之间移动。在仅使用微波等离子体源的特定例子中，微波天线的位置可相对基板移动。邻接于等离子体源的同轴微波天线可使离子化更加均匀，且可在大面积上进行实质均匀的沉积。

主权项

一种微波沉积和蚀刻系统，包含：一处理腔室；一基板支撑件，设置于该处理腔室之中，用于固持一基板；一气体供应系统，用于将多种气体流入该处理腔室之中；以及一微波天线，位于该处理腔室之中，用于发射微波，该微波天线可相对该处理腔室内的该基板而移动。