| 发明名称 | 硅片的后清洗工艺 | ||
| 摘要 | 本发明涉及太阳能电池生产方法技术领域，尤其是一种硅片的后清洗工艺，其具有如下步骤：a.将多晶硅片硅片制绒、扩散，得到25～80ohm/Sq的均匀扩散区；b.再用酸溶液进行腐蚀，酸溶液中：HF体积浓度占1.6％～4.5％，HNO3体积浓度占20％～30％，CH3COOH体积浓度占33％～39％，其余为H2O，将腐蚀时间控制在20～180秒，温度为15～25℃。本发明硅片的后清洗工艺，通过优化溶液配比，可精确控制溶液的反应速率，而且硅片表面的反射率没有提高，从而提高了太阳能电池的效率。 | ||
| 申请公布号 | CN101976700A | 申请公布日期 | 2011.02.16 |
| 申请号 | CN201010238237.5 | 申请日期 | 2010.07.28 |
| 申请人 | 常州天合光能有限公司 | 发明人 | 张学玲 |
| 分类号 | H01L31/18(2006.01)I;C23F1/24(2006.01)I | 主分类号 | H01L31/18(2006.01)I |
| 代理机构 | 常州市维益专利事务所 32211 | 代理人 | 王凌霄 |
| 主权项 | 一种硅片的后清洗工艺，其特征是：具有如下步骤：a.将多晶硅片硅片制绒、扩散，得到25～80ohm/Sq的均匀扩散区；b.再用酸溶液进行腐蚀，酸溶液中：HF体积浓度占1.6％～4.5％，HNO3体积浓度占20％～30％，CH3COOH体积浓度占33％～39％，其余为H2O，将腐蚀时间控制在20～180秒，温度为15～25℃。 | ||
| 地址 | 213031 江苏省常州市新北区电子产业园天合路2号 | ||