发明名称 | 一种硅基有机发光微显示器件隔离柱的制备方法 | ||
摘要 | 本发明涉及硅基有机发光微显示(OLED)金属阳极及阴极隔离柱的制备方法,其特征在于:所述的该隔离柱的制备步骤如下:1)在硅基片衬底上用磁控溅射一层金属膜;2)在镀有铬/银的硅基片上涂光学光刻胶,用第一版光刻板进行曝光、显影;3)对刻有图形的硅基片进行ICP刻蚀;4)超声波去除硅基片上的光刻胶;5)快速退火;6)涂光刻胶;7)用第二版光刻板进行前曝;8)将曝光后的硅基片热板烘烤;9)再进行泛曝、显影后形成截面为倒梯形的隔离柱结构,至此,OLED金属阳极及阴极隔离柱的制备完成。该制备方法能够得到牢固而且图案精确的金属阳极电极图案,且得到最佳的欧姆接触、微细的金属图案。 | ||
申请公布号 | CN101697369B | 申请公布日期 | 2011.02.16 |
申请号 | CN200910218648.5 | 申请日期 | 2009.10.29 |
申请人 | 彩虹集团公司 | 发明人 | 李俊 |
分类号 | H01L51/56(2006.01)I | 主分类号 | H01L51/56(2006.01)I |
代理机构 | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人 | 汪人和 |
主权项 | 一种硅基有机发光微显示器件隔离柱的制备方法,其特征在于:所述的该隔离柱的制备步骤如下:1)选用普通干净硅基片做衬底,在衬底上用磁控溅射的方法溅射一层金属膜;2)在镀有金属膜的硅基片上涂光学光刻胶,用第一版光刻板曝光、显影;3)对刻有图形的硅基片进行ICP刻蚀;4)把刻蚀后的硅基片置于丙酮器皿中,并外加超声波去除硅基片上的光刻胶,得到金属阳极图形,再用酒精和去离子水清洗干净;5)对镀有金属阳极图形的硅基片进行快速退火;6)在金属阳极图形上方涂光刻胶;7)用第二版光刻板进行前曝;8)将曝光后的硅基片置于140~150℃热板烘烤;9)将烘烤后的硅基片再进行泛曝,然后显影,显影后形成截面为倒梯形的隔离柱结构,至此,硅基有机发光微显示器件金属阳极及阴极隔离柱的制备完成。 | ||
地址 | 712021 陕西省咸阳市彩虹路1号 |