背钝化电池的制造方法

摘要

本发明涉及太阳能电池生产方法技术领域，尤其是一种背钝化电池的制造方法。其工艺步骤为：先将P型单晶硅片清洗制绒；再进行B扩散；然后放入氧化炉中生长湿氧；再用刻蚀性浆料对硅片正面进行刻蚀，然后用离子水加超声清洗硅片；对硅片进行P扩散；等离子边缘刻蚀；用HF溶液清洗；再放入氧化炉生长薄干氧；再对硅片正面沉积氮化硅，背面沉积氮化硅或碳化硅或溅射铝；最后电极印刷，烧结。本发明同时采用了正背面叠层钝化，同时背面采用B扩散，具备了优越的正面钝化及背面钝化性能，使电池在长波段具有很好的光电响应，而且背面叠层钝化具有很好的反射作用，能使到达背面的光子再次反射回电池片更充分的利用。

主权项

一种背钝化电池的制造方法，其特征是：工艺步骤为：a.将电阻率为0.2～10Ωcm的P型单晶硅片，经过常规清洗后进行酸制绒或碱制绒；b.将制绒后的硅片放入B扩散管进行扩散，B扩散的温度为870℃～970℃，方阻为40～100Ω；c.放入氧化炉生长湿氧，热生长的SiO2膜厚度为50～200nm，氧化温度为850℃～1000℃；d.用刻蚀性浆料对硅片正面进行刻蚀5～30分钟，刻蚀掉SiO2及B扩散结部分的Si，保持背面SiO2的存在，然后用离子水加超声清洗硅片；e.将硅片放入P扩散进行扩散，P扩散的温度为800℃～900℃，方阻为40～70Ω；f.等离子边缘刻蚀；g.用浓度为2％～15％的HF清洗1～10分钟，去除正面PSG及背面SiO2部分；h.放入氧化炉生长薄干氧，生长的薄干氧厚度为5～20nm，氧化温度为700～820℃；i.硅片正面沉积氮化硅进行叠层钝化，背面沉积氮化硅或碳化硅或溅射铝进行叠层钝化；j.电极印刷，烧结。