偶氮苯液晶光全息存储材料及其制备方法

摘要

本发明公开了一种偶氮苯液晶光全息存储材料及其制备方法，包括二氧化硅、含偶氮苯基团化合物和含液晶基团化合物，偶氮苯基团与液晶基团的摩尔比为0.5～10∶1。偶氮苯液晶光全息存储材料使用的基质材料为二氧化硅结构，具有良好的高透光和低散射率，基质的折射率较低，与有着较高折射率的光折变化合物匹配可获得高的折射率调制度。液晶基团的存在可以强化偶氮苯基团遇光所产生的光折变效应，提高材料的衍射效率，进而增加了信息存储容量；液晶基团的规则排列不会受到热运动和非信号光的影响，数据存储时间大大延长。偶氮苯基团的顺反式异构体可在信号光的照射下相互转变，并诱导液晶基团的排列，数据可以反复擦除和写入。

主权项

一种偶氮苯液晶光全息存储材料，其特征在于包括二氧化硅、含偶氮苯基团化合物和含液晶基团化合物，偶氮苯基团与液晶基团的摩尔比为0.5～10∶1；所述含偶氮苯基团化合物为对丁氧基偶氮苯、4‑甲氧基‑4′‑丁基偶氮苯、4，4′‑双(4‑羟基偶氮苯)联苯或对硝基偶氮苯酚；所述含液晶基团化合物为甲亚胺系液晶、苯甲酸酯系液晶、联苯系液晶、三联苯系液晶、环己酸苯酯系液晶、苯基环己烷系或联苯基环己烷系液晶中的一种或几种混合物。