发明名称 基于UV固化工艺在硅片表面丝网印刷精细掩膜的方法
摘要 本发明基于UV固化工艺在硅片表面丝网印刷精细掩膜的方法,其工艺步骤如下:步骤1、用H2SO4和H2O2混合溶液清洗硅片表面的有机物,再用去离子水清洗硅片,然后烘干;步骤2、用丝网印刷的方法将光敏液态材料印刷在硅片表面上,形成掩膜图形;步骤3、将硅片表面上丝网印刷的液态材料用紫外光照射固化,得到固化精细掩膜图形;步骤4、烘干。本发明方法,在硅片表面用丝网印刷液态材料,然后将液态材料快速固化,限制了液态材料的铺展,提高了掩膜的分辨率,减小了线宽,实现了在硅片表面低成本制作精细掩膜的目的。
申请公布号 CN101587291B 申请公布日期 2011.02.16
申请号 CN200910032457.X 申请日期 2009.07.08
申请人 中电电气(南京)光伏有限公司 发明人 宫昌萌;倪志春;赵建华;王艾华
分类号 G03F1/00(2006.01)I;H01L21/027(2006.01)I 主分类号 G03F1/00(2006.01)I
代理机构 南京知识律师事务所 32207 代理人 程化铭
主权项 基于UV固化工艺在硅片表面丝网印刷精细掩膜的方法,其工艺步骤如下:步骤1、清洗硅片表面的有机物,清洗液选H2SO4和H2O2混合溶液;再用去离子水清洗硅片,然后烘干,烘干温度为:60℃~100℃;步骤2、用丝网印刷的方法将光敏液态材料印刷在硅片表面上,形成掩膜图形,硅片表面所形成的掩膜图形厚度为20~100um;所述光敏液态材料对波长100nm~900nm的紫外光具有光敏性能,粘度为500~1000cps;步骤3、将硅片表面上丝网印刷的液态材料用紫外光照射固化,限制液态材料的铺展,得到固化精细掩膜图形;硅片的温度保持在40℃~70℃之间;步骤4、烘干,将固化后的掩膜放到40℃以上的环境中烘烤,去除掩膜中存留的溶剂,烘烤的温度上限以不使掩膜变形为限。
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