| 发明名称 | 氧化膜形成方法和用于该方法的装置 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种用于氧化膜形成的装置(1)。在该装置(1)中，紫外光范围内的光被应用到基板(7)上，以及同时，有机硅的起动气体(G1)和臭氧气体(G2)被供应给基板(7)以在基板(7)的表面上形成氧化膜。基板(7)被存放于处理炉(2)中。管道布置(3)起着在室温下将起动气体(G1)和臭氧气体(G2)混合在一起以制备随即被供应给处理炉(2)中的基板(7)的混合物的作用。光源(5)放射出紫外光范围内的具有长于210nm的波长的光以及将其应用到了基板(7)上。被供应到管道布置(3)内的与起动气体(G1)混合的臭氧气体(G2)的量被设置成至少是为完全氧化起动气体(G1)所需的化学当量或更高的值。根据氧化膜形成的装置(1)，起动气体的利用率被提高了，以及同时，具有卓越特性的氧化膜能够通过200℃或200℃以下的膜形成过程来形成。 | ||
| 申请公布号 | CN101506952B | 申请公布日期 | 2011.02.16 |
| 申请号 | CN200780031642.6 | 申请日期 | 2007.08.22 |
| 申请人 | 株式会社明电舍;独立行政法人产业技术综合研究所 | 发明人 | 西口哲也;龟田直人;齐藤茂;野中秀彦;一村信吾 |
| 分类号 | H01L21/316(2006.01)I;C23C16/42(2006.01)I;H01L21/31(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L29/786(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/316(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人 | 秦晨 |
| 主权项 | 一种氧化膜形成的方法，包括以下步骤：将紫外光范围内的光照射到基板上；以及给基板供应有机硅的起动气体和臭氧气体以在基板的表面上形成氧化膜，其中臭氧气体与起动气体在室温下混合并且臭氧气体与起动气体的混合量被设置成与为完全氧化起动气体所需的化学当量相等或更多。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||