发明名称 光刻设备与辐射传感器及辐射传感器制造方法
摘要 公开了一种辐射传感器,包括:辐射接收器,定位于所述投影系统的所述最终元件的焦平面中;透射板,在面向所述投影系统一侧支撑所述辐射接收器;量子转化层,用于吸收在所述透射板上入射的第一波长的光,并且再辐射第二波长的光;光纤块,包括多条光纤;以及辐射检测器。在所述辐射检测器中,所述多条光纤将由所述量子转换层再辐射的光导引到所述辐射检测器。所述辐射传感器可以用作光刻设备中的衬底级别传感器。
申请公布号 CN101109908B 申请公布日期 2011.02.16
申请号 CN200710127311.4 申请日期 2007.07.02
申请人 ASML荷兰有限公司 发明人 海柯·V·柯克;阿里西·J·范德西斯
分类号 G03F7/20(2006.01)I;H01L21/027(2006.01)I 主分类号 G03F7/20(2006.01)I
代理机构 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人 齐晓寰
主权项 一种光刻设备,包括:照射系统,配置用于调节第一波长的辐射束;支架,配置用于支撑图案形成装置,所述图案形成装置配置用于在横截面方向把图案赋予给辐射束,以形成第一波长的图案化辐射束;衬底台,配置用于保持衬底;投影系统,配置用于将所述图案化辐射束投影到所述衬底的目标部分上,所述投影系统包括最终元件;以及衬底级别传感器,包括:辐射接收器,定位于所述最终元件的焦平面中;透射板,配置用于在面向所述投影系统一侧支撑所述辐射接收器;量子转化层,配置用于吸收在所述透射板上入射的第一波长的光,并且再辐射第二波长的光;光纤块,包括多条光纤;以及辐射检测器,其中,所述多条光纤配置用于将由所述量子转换层再辐射的光导引到所述辐射检测器。
地址 荷兰维德霍温