| 发明名称 | 闪存阵列集线器、层叠的闪存阵列及交错层叠的闪存阵列 | ||
| 摘要 | 本发明公开了闪存阵列集线器、层叠的闪存阵列及交错层叠的闪存阵列，可实现更大的容量和更高的性能。其技术方案为：交错层叠的闪存阵列由若干个闪存阵列集线器组成，其中每一个闪存阵列集线器包括：若干个并行数据输入端口，用于连接闪存设备或其他的闪存阵列集线器；一串行数据输入端口，用于连接其他的闪存阵列集线器；一串行数据输出端口，用于连接其他的闪存阵列集线器或计算机；处理器芯片，连接该串行数据输入端口、该串行数据输出端口以及该若干个并行数据输入端口，用于处理数据存储；其中每一闪存阵列集线器的若干个并行数据输入端口和所连接的闪存设备或其他的闪存阵列集线器是交错连接的配置关系。 | ||
| 申请公布号 | CN101976574A | 申请公布日期 | 2011.02.16 |
| 申请号 | CN201010274777.9 | 申请日期 | 2010.09.07 |
| 申请人 | 苏州壹世通科技有限公司 | 发明人 | 舒曼·拉菲扎德;胡英;林贻基 |
| 分类号 | G11C7/10(2006.01)I;G11C16/00(2006.01)I | 主分类号 | G11C7/10(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人 | 施浩 |
| 主权项 | 一种闪存阵列集线器，包括：一串行数据输入端口，用于连接其他的闪存阵列集线器；一串行数据输出端口，用于连接其他的闪存阵列集线器或计算机；若干个并行数据输入端口，用于连接其他的闪存阵列集线器或闪存设备；处理器芯片，连接该串行数据输入端口、该串行数据输出端口以及该若干个并行数据输入端口，用于处理数据存储。 | ||
| 地址 | 215021 江苏省苏州工业园区金鸡湖大道1355号国际科技园A0406 | ||