发明名称 热处理腔室中的晶片支撑件的温度测量及控制
摘要 公开了在快速热处理过程中达成均匀加热或冷却基板的设备与方法。更明确地说,公开了在快速热处理过程中控制支撑基板的边缘环与/或反射体平板的温度以改善横跨基板的温度均匀性的设备与方法,其包括邻近边缘环以加热或冷却边缘环的热团或平板。
申请公布号 CN101978481A 申请公布日期 2011.02.16
申请号 CN200980110262.0 申请日期 2009.03.25
申请人 应用材料股份有限公司 发明人 库赫斯特·索瑞伯基;亚历山大·N·勒纳;约瑟夫·M·拉内什;阿伦·M·亨特;布鲁斯·E·亚当斯;梅兰·贝德亚特;拉杰士·S·罗摩努亚姆
分类号 H01L21/324(2006.01)I;H01L21/683(2006.01)I;H01L21/687(2006.01)I 主分类号 H01L21/324(2006.01)I
代理机构 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 代理人 徐金国;钟强
主权项 一种处理基板的腔室,其至少包括:腔室封围件,界定处理空间;基板支撑件,置于该处理空间中;边缘环,置于该基板支撑件上,该边缘环设以在该基板的周边上支撑该基板;第一热源,设以加热该基板;第二热源,设以改变该边缘环的温度;及热团,位于邻近该边缘环处,该热团包括至少一通道,该通道包含加热或冷却该热团的流体。
地址 美国加利福尼亚州