发明名称 晶体硅太阳能电池的单面酸制绒工艺
摘要 本发明涉及一种晶体硅太阳能电池的单面酸制绒工艺,包括以下步骤:1)将硅片在常温下用纯水润湿,使硅片表面形成一层薄薄的水膜;2)在工艺设备的第一个槽体中硅片完成制绒;3)在工艺设备的第二个槽中放置碱溶液氢氧化钠,硅片以每分钟1.0±0.2米的速度由滚轮带动通过第二个槽;4)在工艺设备的第三个槽中放置氟化氢和氯化氢的混合溶液,硅片以每分钟1.0±0.2米的速度由滚轮带动通过第三个槽,硅片经过该槽后,经过纯水的漂洗,然后经过风刀吹干后直接进入下料区。本发明非常现实地提出了一种单面的腐蚀方法,可以很有效地降低传统的腐蚀重量,从而增加了硅片在整个制程中的厚度,降低了整道的破片率。
申请公布号 CN101976705A 申请公布日期 2011.02.16
申请号 CN201010238289.2 申请日期 2010.07.28
申请人 常州天合光能有限公司 发明人 吴剑峰
分类号 H01L31/18(2006.01)I 主分类号 H01L31/18(2006.01)I
代理机构 常州市维益专利事务所 32211 代理人 王凌霄
主权项 一种晶体硅太阳能电池的单面酸制绒工艺,其特征在于包括以下步骤:1)将硅片在常温下用纯水润湿,使硅片表面形成一层薄薄的水膜;2)在工艺设备的第一个槽放置HNO3,HF,H2SO4以及水的混合液,体积比例为6∶1∶4,温度为4℃‑10℃,硅片以每分钟1.0±0.2米的速度随着滚轮漂过第一个槽,反应时间为2~3分钟,在第一个槽体中硅片完成制绒,表面损伤层被均匀地腐蚀掉一层,并且表面单面形成如蜂窝状的酸制绒绒面,绒面大小均匀,尺寸为3~7微米之间,经过该槽后硅片被腐蚀掉的一面出现暗黄色的多孔硅;3)在工艺设备的第二个槽中放置碱溶液氢氧化钠,浓度为3%‑5%,温度为15℃~25℃,硅片以每分钟1.0±0.2米的速度由滚轮带动通过第二个槽,作用时间为1~2分钟;4)在工艺设备的第三个槽中放置氟化氢和氯化氢的混合溶液,浓度分别为5%和7%,温度为常温,硅片以每分钟1.0±0.2米的速度由滚轮带动通过第三个槽,作用时间为1~2分钟,硅片经过该槽后,经过纯水的漂洗,然后经过风刀吹干后直接进入下料区。
地址 213031 江苏省常州市新北区电子产业园天合路2号