| 发明名称 | 半导体装置及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明旨在抑制布线可靠性的劣化并降低布线的有效介电常数。具体公开了一种半导体装置，其中含铜布线覆盖有阻挡绝缘膜，所述阻挡绝缘膜包括含不饱和烃和无定形碳的有机二氧化硅组分。即，所述含铜布线被阻挡绝缘膜覆盖，所述阻挡绝缘膜具有含不饱和烃和无定形碳的有机二氧化硅结构。因此，降低了布线间的电容而不会劣化所述含铜布线的可靠性，从而实现了具有低功率消耗的高速LSI。 | ||
| 申请公布号 | CN101569003B | 申请公布日期 | 2011.02.16 |
| 申请号 | CN200780047805.X | 申请日期 | 2007.12.20 |
| 申请人 | 日本电气株式会社 | 发明人 | 植木诚;山本博规;林喜宏;伊藤文则;福本能之 |
| 分类号 | H01L21/768(2006.01)I;H01L21/312(2006.01)I;H01L23/522(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/768(2006.01)I |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人 | 陈海涛;樊卫民 |
| 主权项 | 具有含铜布线的半导体装置，其中：所述含铜布线被阻挡绝缘膜覆盖；以及所述阻挡绝缘膜包括含不饱和烃和无定形碳的有机二氧化硅组分。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||