发光二极管芯片的制造方法

摘要

本发明涉及一种发光二极管芯片的制造方法，在蓝宝石衬底表面制造出凸包形周期性排列的微结构，之后在该衬底的上表面形成缓冲层，在该缓冲层上形成n型半导体层，在该n型半导体层的一部分上形成发光层，在该发光层上形成p型半导体层；以及在该n型半导体层的另一部分和p型半导体层上分别形成n电极和p电极。由于在衬底上形成了蒙古包形周期性排列的微结构，可以减少界面反射并减少内部吸收，可有效改善外延生长的缺陷，从而提高了发光二极管芯片的发光效率。

主权项

一种发光二极管芯片的制造方法，其特征在于，所述制造方法包括以下步骤：制备衬底，在该衬底上表面形成多个凸包形微结构；在该衬底的上表面形成缓冲层；在该缓冲层上形成n型半导体层；在该n型半导体层上形成发光层；在该发光层上形成p型半导体层；其中，所述衬底上表面的凸包形微结构的剖面轮廓线为弧线形；所述的凸包形微结构按周期性隔行交错地规则排列于衬底表面；所述的在衬底表面形成凸包形微结构的方法包括以下步骤：在该衬底上表面上形成一层光刻胶膜层，所述光刻胶膜层的厚度为0.5um～4um；应用光刻技术将光刻胶膜层图形化以形成所期望的图案，光刻胶膜层图形化形成的所期望的图案为棱柱、圆柱、凌锥、圆锥、圆台或棱台；应用回流工艺熔化该光刻胶膜层，使该光刻胶膜层形成凸包形；应用刻蚀的方法将该光刻胶膜层的凸包形轮廓传递到该衬底上，在该衬底上形成凸包形微结构。