一种多晶硅装置的清洗方法

摘要

本发明提供了一种多晶硅装置的清洗方法，该方法包括：(a)用脱脂剂对装置进行脱脂清洗；(b)用无油干燥空气对清洗后的装置进行干燥。所用无油干燥空气露点≤-40℃，油含量≤0.01mg/m3，尘埃粒子≤0.01μm，流量为40～60m3/min。脱脂剂为2～5％重量的氢氧化钠溶液，配制氢氧化钠溶液所用水为纯水，纯水的油含量为零，电导率≤15us/cm，氯离子≤5mg/L。本发明的多晶硅装置的清洗方法工艺简单，便于施工操作，采用无油干燥空气可以达到更好的除尘效果，并且从根本上解决了系统干燥问题，保证最终投产前的干燥，同时能够满足环保要求。

主权项

一种多晶硅装置的清洗方法，其特征在于，该方法包括：(a)用脱脂剂对装置进行脱脂清洗；(b)用无油干燥空气对清洗后的装置进行干燥。所述无油干燥空气露点≤‑40℃，油含量≤0.01mg/m3，尘埃粒子≤0.01μm；所述脱脂剂为2～5％重量的氢氧化钠溶液，配制氢氧化钠溶液所用水为纯水，所述纯水的油含量为零，电导率≤15us/cm，氯离子≤5mg/L。