可溶性四烷基轴向取代酞菁化合物在制备有机薄膜晶体管中的应用

摘要

本发明涉及可溶性四烷基轴向取代酞菁化合物在制备有机薄膜晶体管中的应用。采用可溶性四烷基轴向取代酞菁化合物作为有机薄膜晶体管源/漏电极间的半导体层(5)；所述的可溶性四烷基轴向取代酞菁化合物的中心配体为三价或三价以上的原子，轴向配体为氯、氟、氧可与轴向取代酞菁化合物的中心配体连接，酞菁周边的四个苯环被四个碳原子数目为4-18的直链或支化链的烷烃取代。所述的可溶性四烷基轴向取代酞菁化合物采用溶液加工方法制备高品质的薄膜。这些薄膜的载流子迁移率在10-3-1cm2/Vs，开关比大于103，能级可控，且性能稳定，容易集成加工。

主权项

1.可溶性四烷基轴向取代酞菁化合物在制备有机薄膜晶体管中的应用，该有机薄膜晶体管的构成如下：(1)是基板，是玻璃或塑料；(2)是栅极层，是金属铬膜，厚度200纳米；(3)是绝缘栅层，是五氧化二钽、二氧化硅或三氧化二铝；(4)是修饰层，所用的修饰试剂包括三氯硅烷类化合物、含磷酸化合物或高介电常数聚合物材料；所述的三氯硅烷类化合物包括十八烷基三氯硅烷、辛基三氯硅烷、苄基三氯硅烷、苯基三氯硅烷或含氟烷基三氯硅烷；所述的含磷酸化合物包括碳链长度为12-16的磷酸或苯基取代的磷酸；所述的高介电常数聚合物包括聚甲基丙烯酸甲酯、聚乙烯基苯酚、聚乙烯醇、聚苯乙烯、聚氯乙烯或聚酰亚胺；(5)是半导体层；(6)和(7)是源/漏电极；其特征在于：采用可溶性四烷基轴向取代酞菁化合物作为有机薄膜晶体管源/漏电极间的半导体层(5)：所述的可溶性四烷基轴向取代酞菁化合物，其表达式为ML_xPc-4Rn，其结构通式如下：结构通式中，Rn代表直链或支化链的烷基，n代表直链或支化链的烷基的碳原子的数目，n为4-18的整数；Rn的取代位置在2或3 位中的任一位置，9或10位中的任一位置，16或17位中的任一位置，23或24位中的任一位置；M代表三价以上的中心配体，为铝，硅、钛、钒、锰、铁、镓、铟或锡；L代表轴向配体，其为氯、氟或氧，L与中心配体M连接；X代表L的数目，X为1-2的整数。