一种硅多晶原料的清洗方法

摘要

本发明公开了一种硅多晶原料的清洗方法，本方法包括以下步骤：1、硅多晶原料投入乙醇溶液进行预浸泡；2、预浸泡后将硅多晶原料进行去离子水漂洗；3、漂洗后的硅多晶原料置于HNO3+HF的混合酸液中进行腐蚀；4、混合酸腐蚀后的硅多晶原料置于HF酸溶液中浸泡；5、HF酸浸泡完毕后将硅多晶原料放入带有溢流的去离子水槽中进行漂洗；6、经过漂洗后的硅多晶原料投入到去离子水中进行浸泡处理。采用本方法清洗处理后的硅多晶原料表面无斑点、无氧化层、杂质含量少，从而克服了现有硅多晶原料清洗过程中容易出现腐蚀不均匀，表面易出现氧化膜、斑点等问题，达到了硅多晶原料的高品质要求。

主权项

一种硅多晶原料的清洗方法，其特征在于：包括下列步骤：(1)、硅多晶原料投入乙醇溶液中进行预浸泡，浸泡时间为5min～8min，每30s搅拌一次；(2)、将预浸泡完毕后的硅多晶原料进行去离子水漂洗，漂洗时间为3min～4min；(3)、将预浸泡后的硅多晶原料置于HNO3+HF的混合酸液中进行腐蚀，腐蚀时间为5min～8min，腐蚀温度为25℃～40℃；(4)、将混合酸液腐蚀后的硅多晶原料置于HF酸溶液中浸泡，浸泡时间大于5min，浸泡温度为20℃～30℃；(5)、将HF酸溶液浸泡后的硅多晶原料放入带有溢流的去离子水槽中进行漂洗，溢流量≥10L/min，漂洗时间≥20min；(6)、将漂洗后的硅多晶原料投入到去离子水中进行浸泡处理，去离子水温度为60℃～80℃，浸泡时间≥10min。