多比特可编程非易失性存储器单元、阵列及其制造方法

摘要

本发明公开了一种多比特可编程非易失性存储器单元、阵列及其制造方法，包括：字线、位线、源线以及位于字线、位线和源线之间的多个存储器单元；其中，所述存储单元中的晶体管的栅极与字线连接；所述存储单元中的晶体管的漏极与电容器串联连接至位线上；所述存储单元中的晶体管的源极与源线连接；所述电容器由金属层、接触孔、阻挡层和有源区依次连接形成；所述电容器在不同预定电压作用下，经过不同预定作用时间后，产生多种预定电阻值；所述多种预定电阻值用于表征存储单元的多种存储状态。通过本发明大大提高了存储器单个存储器单元存储数据的能力和存储稳定性、进一步缩小了存储器的面积，从而更有利于大规模集成电路的应用。

主权项

一种多比特可编程非易失性存储器单元，包括晶体管，所述晶体管包括栅极、源极和漏极，其特征在于，还包括与所述晶体管的漏极串联连接的电容器；所述电容器由金属层、接触孔、金属硅化物阻挡层和有源区依次连接形成；其中，所述金属硅化物阻挡层为所述电容器的介质层；所述电容器在不同预定电压作用下，经过不同预定作用时间后，产生多种预定电阻值；所述多种预定电阻值用于表征存储器单元的多种存储状态。