发明名称 具有静电放电保护电路的集成电路
摘要 本发明披露了一种具有静电放电保护电路的集成电路。该集成电路包括第一电源接垫、第二电源接垫、至少一个电路模块、电源箝制电路。该电路模块内包括信号接垫、内部电路以及第一双极结晶体管。该第一双极结晶体管的集极与该第二电源接垫之间具有一第一寄生电阻。该电源箝制电路包括至少一个第一金属氧化物半导体晶体管以及至少一个第一寄生双极结晶体管。
申请公布号 CN101521372B 申请公布日期 2011.02.16
申请号 CN200810081667.3 申请日期 2008.03.05
申请人 瑞鼎科技股份有限公司 发明人 杨景荣;吴坤泰
分类号 H02H9/00(2006.01)I;H01L23/60(2006.01)I 主分类号 H02H9/00(2006.01)I
代理机构 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 代理人 章社杲;李丙林
主权项 一种具有静电放电保护电路的集成电路,其包括:第一电源接垫;第二电源接垫;至少一个电路模块,包括:信号接垫;内部电路,耦接于所述第一电源接垫与所述第二电源接垫之间;以及第一双极结晶体管,其基极耦接于所述第一电源接垫,射极耦接于所述信号接垫,其中,所述第一双极结晶体管的集极与所述第二电源接垫之间具有一第一寄生电阻;电源箝制电路,耦接于所述第一电源接垫与所述第二电源接垫之间,所述电源箝制电路包括:至少一个第一金属氧化物半导体晶体管,所述第一金属氧化物半导体晶体管的控制端耦接于所述第二电源接垫,第一连接端耦接于所述第一电源接垫,以及第二连接端耦接于所述第二电源接垫;以及至少一个第一寄生双极结晶体管,其集极耦接于所述第一金属氧化物半导体晶体管的所述第一连接端,射极耦接于所述第一金属氧化物半导体晶体管的所述第二连接端,基极耦接于所述第一双极结晶体管的所述集极与所述第一寄生电阻。
地址 中国台湾新竹市