发明名称 等离子体增强化学气相沉积装置
摘要 本发明提供一种等离子体增强化学气相沉积装置,包括:腔体,包括位于其顶部的进气口;电源,位于腔体外;上电极,位于腔体内进气口下方;下电极,位于腔体底部,与所述上电极相对设置;器件基板,位于所述下电极上,所述器件基板的表面用于沉积太阳能电池的硅薄膜;还包括位于下电极上的绝缘框,所述绝缘框设置于所述器件基板的外围,用以防止电场在所述器件基板边缘的跳变。本发明通过在器件基板上的外围区域形成有绝缘框,所述绝缘框的介电系数接近或等于器件基板的介电系数,提高器件基板外围电场分布的均匀性,进一步提高位于所述器件基板外围的等离子体分布密度的均匀性,进而提高所述器件基板上沉积的薄膜厚度的均匀性。
申请公布号 CN101974738A 申请公布日期 2011.02.16
申请号 CN201010553710.9 申请日期 2010.11.19
申请人 理想能源设备有限公司 发明人 陈金元;刘传生
分类号 C23C16/50(2006.01)I;C23C16/24(2006.01)I 主分类号 C23C16/50(2006.01)I
代理机构 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人 骆苏华
主权项 一种等离子体增强化学气相沉积装置,包括:腔体,包括位于其顶部的进气口;电源,位于腔体外,用于产生激发等离子体射频信号;上电极,位于腔体内进气口下方;下电极,位于腔体底部,与所述上电极相对设置;器件基板,位于所述下电极上,所述器件基板的表面用于沉积太阳能电池的硅薄膜;其特征在于,还包括位于所述下电极上的绝缘框,所述绝缘框设置于所述器件基板的外围,用以防止电场在所述器件基板边缘的跳变。
地址 英属维京群岛托托拉岛罗德城三一会4301