一种测量半导体探测器暗电流的方法

摘要

一种测量半导体探测器暗电流的方法，将数个半导体探测器连接于探测器老化检测夹具上并并联后，给探测器老化检测夹具上的半导体探测器加上反向伏电压；当电流表上显示的暗电流小于100纳安培时，则判定所测的半导体探测器均为合格品；否则判定所测的数个半导体探测器中有不合格品，将所测的数个半导体探测器分成两组分别再次按照上述流程检测，直至找出不合格品，本发明测量半导体探测器暗电流的方法可一次同时测量数个半导体探测器，能够显著提高检测效率。

主权项

一种测量半导体探测器暗电流的方法，其特征在于：该方法包括如下步骤：(1)将稳压源与电压表并联，然后串联电流表和探测器老化检测夹具，并使探测器老化检测夹具加上反向电压，其中所述探测器老化检测夹具具有数个工位；(2)将待检测的数个半导体探测器的正极分别与探测器老化检测夹具中各个工位的正极对应连接，而半导体探测器的负极分别与探测器老化检测夹具中各个工位的负极对应连接；(3)将步骤(2)中的数个工位的正极与正极相连，负极与负极相连，以将该数个工位并联；(4)打开稳压源，给探测器老化检测夹具上的半导体探测器加上反向电压；当电流表上显示的暗电流小于100纳安培时，则判定所测的半导体探测器均为合格品，然后逐一取出放入合格品盒中，否则进入步骤(5)；(5)当电流表上显示的暗电流大于100纳安培时，则判定所测的数个半导体探测器中有不合格品，将所测的数个半导体探测器分成两组分别再次按照上述流程检测，直至找出不合格品。