一种提高LDMOS抗辐照特性的方法

摘要

本发明提供了一种提高LDMOS抗辐照特性的方法，属于集成电路抗辐照技术。本发明针对射频功率器件中的常规LDMOS晶体管结构提出：N型LDMOS晶体管的漂移区STI介质层和器件隔离区的介质层选用的材料和P型LDMOS晶体管的漂移区STI介质层和器件隔离区的介质层不同，其中N型LDMOS场效应晶体管漂移区STI介质层和器件沟槽隔离区选用辐照后更易俘获电子的材料，而P型LDMOS场效应晶体管漂移区介质层和沟槽隔离区介质层的填充材料为更容易俘获空穴的材料。本发明应用于半导体器件和集成电路抗辐照设计中，可提高集成电路的抗辐照能力、降低加固费用。

主权项

一种提高LDMOS抗辐照特性的方法，该方法是针对射频功率器件中的常规LDMOS晶体管结构，其特征在于，N型LDMOS场效应晶体管漂移区STI介质层和器件沟槽隔离区选用辐照后易俘获电子的材料，P型LDMOS场效应晶体管漂移区介质层和沟槽隔离区介质层的填充材料为易俘获空穴的材料。