| 发明名称 | 雾化法制备低氧低松比铜基粉末的方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种雾化法制备低氧低松比铜基粉末的方法，它是对金属铜熔化为铜液后进行雾化，再经吸滤制得铜基粉末，其特征是所述雾化过程中位于铜液下方的喷嘴有二个，且位于同一竖直直线上，构成双焦点，喷孔的直径为1.2~1.5毫米，雾化顶角的角度分别为28~32度和18~22度。本发明生产出的铜粉，松比低，含氧量低，粉末冶金性能好。 | ||
| 申请公布号 | CN101972854A | 申请公布日期 | 2011.02.16 |
| 申请号 | CN201010538288.X | 申请日期 | 2010.11.09 |
| 申请人 | 铜陵铜基粉体科技有限公司 | 发明人 | 陆道昌 |
| 分类号 | B22F9/08(2006.01)I | 主分类号 | B22F9/08(2006.01)I |
| 代理机构 | 铜陵市天成专利事务所 34105 | 代理人 | 程霏 |
| 主权项 | 雾化法制备低氧低松比铜基粉末的方法，它是对金属铜熔化为铜液后进行雾化，再经吸滤制得铜基粉末，其特征是所述雾化过程中位于铜液下方的喷嘴有二个，且位于同一竖直直线上，构成双焦点，喷孔的直径为1.2~1.5毫米，雾化顶角的角度分别为28~32度和18~22度。 | ||
| 地址 | 244000 安徽省铜陵市经济技术开发区科大铜陵创业园 | ||