间隙型Gd-Si-Ge系磁致冷材料及其制备方法

摘要

本发明属于磁致冷材料及其制备技术领域，特别涉及一种间隙型Gd-Si-Ge系磁致冷材料及其制备方法。制备方法包含配料与熔炼、热处理步骤，该材料化学通式为间隙型Gd5Si1.4Ge2.6Cx化合物，x为0.01～2；将纯度大于99.9at％的原料按Gd5Si1.4Ge2.6Cx的配比放于电弧炉内，在高纯氩气保护下翻炼，得到均匀的合金铸锭；熔炼好的铸锭用钽片包裹后密封于经抽真空的石英管中热处理，最后将热处理的样品从高温直接在液氮中淬火，得到Gd5Si1.4Ge2.6Cx化合物；本方法还包括添加间隙原子C的步骤。该材料具有更低的温度滞后和磁滞后，更好的热稳定性和大磁热效应，很好的重复性、均匀性，性能稳定。

主权项

一种间隙型Gd‑Si‑Ge系磁致冷材料，其特征在于：该磁致冷材料的化学通式为Gd5Si1.4Ge2.6Cx，为单相的5∶4型多元间隙型化合物，其中x为0.1～0.2。