集成电路及制造绝缘栅场效应晶体管的方法

摘要

一种IGFET，它通过从开口和位错的相邻的边缘处转换(displacing)源极和漏极区的侧边，把在器件区边缘处的位错影响减至最小。这使源极和漏极杂质的横向扩散和进入位错区的金属硅化物的形成减至最小。从开口和位错区的邻近边缘的源极和漏极区侧边的间隙是通过提供从氧化层延伸至衬底区的邻近区中附加的横向对置的第二栅极区，或氧化阻挡层，和在其间延伸的第一栅极区产生的。第一栅极区和两个第二栅极区，或阻挡层，都被用于源极和漏极区的自对准加工中。第一栅极区限定沟道的长度，而两个对置的第二栅极区，即阻挡层，限定沟道区的宽度。把第二栅极部件，或阻挡层，充分地延伸至衬底区中，以使沟道宽度与在氧化物中开口的相邻的边缘隔开。

主权项

一种具有绝缘栅场效应晶体管的集成电路，它包括：衬底；第一氧化层，它延伸到所述衬底中并具有朝着所述衬底的多个表面区域的开口；其中，在所述衬底的多个表面区域之一中形成所述绝缘栅场效应晶体管，所述绝缘栅场效应晶体管所具有的源极区和漏极区在所述衬底的多个表面区域之一中被隔开，并与所述晶体管的栅极自对准；所述栅极包括：在所述源极区和漏极区之间延伸到衬底区域之上的第一栅极部分；以及一对第二栅极部分，该对第二栅极部分中的每一个垂直于所述第一栅极部分进行延伸，所述一对第二栅极部分中的每一个从第一氧化层的形成有所述绝缘栅场效应晶体管的开口的垂直于所述第一栅极部分的整个边缘延伸，并且延伸到形成有所述绝缘栅场效应晶体管的开口的平行于所述第一栅极部分的两个对置边缘上；以及第二氧化层，它与所述第二栅极部分并置且朝向所述源极区和漏极区延伸超出所述第二栅极部分同时延伸至形成有所述绝缘栅场效应晶体管的开口的平行于所述第一栅极部分的两个对置边缘上。