发明名称 |
具有较高静电击穿电压的GaN基LED |
摘要 |
本实用新型提供了一种具有较高静电击穿电压的GaN基LED,其结构自下至上依次包括SiC或Si衬底、AlN缓冲层、N型GaN层、MQW层和P型GaN层,N型GaN层中设有一层厚度为20nm-100nm的AlGaN插入层。本实用新型是通过改变衬底材料和LED的生长结构,在SiC、Si衬底上直接在生长N型GaN层时插入一层AlGaN,从根本上增强发光二极管芯片的抗击穿电压,由于NGaN层本身较厚,插入AlGaN层时只需要引入TMA1,生长非常容易实现,反向抗静电能力由普通结构的500V-1000V提高到了2000V-4000V,反向击穿电压由原来的15V提高到30V,亮度由50-80mcd提高到了80-100mcd。 |
申请公布号 |
CN201749864U |
申请公布日期 |
2011.02.16 |
申请号 |
CN201020167238.0 |
申请日期 |
2010.04.23 |
申请人 |
山东华光光电子有限公司 |
发明人 |
吴德华;朱学亮;曲爽;李树强;徐现刚 |
分类号 |
H01L33/14(2010.01)I |
主分类号 |
H01L33/14(2010.01)I |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
一种具有较高静电击穿电压的GaN基LED,其结构自下至上依次包括SiC或Si衬底、AlN缓冲层、N型GaN层、MQW层和P型GaN层,其特征是:N型GaN层中设有一层厚度为20nm 100nm的AlGaN插入层。 |
地址 |
250101 山东省济南市高新区天辰大街1835号 |