发明名称 氮化镓基垂直结构发光二极管转移衬底的二次电镀方法
摘要 一种氮化镓基垂直结构发光二极管转移衬底的二次电镀方法,包括:选择一外延结构,该外延结构包括蓝宝石衬底和氮化镓LED层;在氮化镓LED层上采用电镀方法制作一次电镀层;对一次电镀层进行减薄抛光处理,使其表面光亮平整;用激光刻划方法在一次电镀层的表面上制作激光刻划图形,作为光刻对准标记;运用光刻方法,通过前烘,匀胶,曝光,显影,坚膜,在一次电镀层上形成光刻胶图形,该光刻胶图形覆盖一次电镀层周边部分面积;继续电镀,在一次电镀层和光刻胶图形上制作二次电镀层;剥离光刻胶图形的光刻胶,裸露出光刻胶图形下的一次电镀层,该一次电镀层和二次电镀层构成氮化镓基垂直结构发光二极管的转移衬底;清洗吹干,完成垂直结构发光二极管转移衬底的制作。
申请公布号 CN101974772A 申请公布日期 2011.02.16
申请号 CN201010251510.8 申请日期 2010.08.11
申请人 中国科学院半导体研究所 发明人 汪炼成;郭恩卿;刘志强;伊晓燕;王国宏
分类号 C25D5/10(2006.01)I;C25D5/02(2006.01)I;H01L33/00(2010.01)I 主分类号 C25D5/10(2006.01)I
代理机构 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人 汤保平
主权项 一种氮化镓基垂直结构发光二极管转移衬底的二次电镀方法,包括:步骤1:选择一外延结构,该外延结构包括蓝宝石衬底和氮化镓LED层;步骤2:在氮化镓LED层上采用电镀方法制作一次电镀层;步骤3:对一次电镀层进行减薄抛光处理,使其表面光亮平整;步骤4:用激光刻划方法在一次电镀层的表面上制作激光刻划图形,作为光刻对准标记;步骤5:运用光刻方法,通过前烘,匀胶,曝光,显影,坚膜,在一次电镀层上形成光刻胶图形,该光刻胶图形覆盖一次电镀层周边部分面积;步骤6:继续电镀,在一次电镀层和光刻胶图形上制作二次电镀层;步骤7:剥离光刻胶图形的光刻胶,裸露出光刻胶图形下的一次电镀层,该一次电镀层和二次电镀层构成氮化镓基垂直结构发光二极管的转移衬底;步骤8:清洗吹干,完成垂直结构发光二极管转移衬底的制作。
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