| 发明名称 | 新型半导体化合物及其制备方法以及使用该半导体化合物的热电元件 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种由下面化学式表示的新型化合物半导体：Bi1-x-yLnxMyCuOTe，其中，Ln属于镧系元素，并且为选自La、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb和Lu中的任意一种或多种元素，M为选自Ba、Sr、Ca、Mg、Cd、Hg、Sn、Pb、Mn、Ga、In、Tl、As和Sb中的任意一种或多种元素，以及0＜x＜1，05y＜1且0＜x+y＜1。所述化合物半导体可以代替常规的化合物半导体或者可与常规的化合物半导体一起用作热电转换器件。 | ||
| 申请公布号 | CN101977846A | 申请公布日期 | 2011.02.16 |
| 申请号 | CN200980110360.4 | 申请日期 | 2009.08.31 |
| 申请人 | LG化学株式会社 | 发明人 | 朴哲凞;孙世姬;权元锺;金兑训;洪承泰 |
| 分类号 | C01G29/00(2006.01)I;C01B19/00(2006.01)I;H01L35/16(2006.01)I;H01L35/18(2006.01)I;H01B1/02(2006.01)I | 主分类号 | C01G29/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京金信立方知识产权代理有限公司 11225 | 代理人 | 朱梅;徐琳 |
| 主权项 | 一种由下面化学式1表示的化合物半导体：<化学式1>Bi1‑x‑yLnxMyCuOTe其中，Ln为选自La、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb和Lu中的任意一种或多种元素，M为选自Ba、Sr、Ca、Mg、Cd、Hg、Sn、Pb、Mn、Ga、In、Tl、As和Sb中的任意一种或多种元素，以及0＜x＜1，0≤y＜1且0＜x+y＜1。 | ||
| 地址 | 韩国首尔 | ||