| 发明名称 | 一种三维结构非易失存储器阵列及其制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种三维结构阻变存储器阵列及其制造方法，属于超大规模集成电路制造技术中的非易失存储器技术领域。本发明三维结构阻变存储器阵列包括衬底和底电极/隔离介质堆栈结构，在底电极/隔离介质堆栈结构上刻蚀出深槽，在深槽侧壁上淀积阻变材料以及顶电极层，其中底电极和顶电极在深槽侧壁上呈交叉，交叉点之间有阻变材料，每个交叉点形成一个阻变存储器单元，所有的阻变存储器单元形成三维阻变存储器阵列，阵列中的三维阻变存储器由隔离介质层隔离。本发明可以提高阻变存储器的存储密度，并且简化工艺，降低工艺成本。 | ||
| 申请公布号 | CN101976676A | 申请公布日期 | 2011.02.16 |
| 申请号 | CN201010279505.8 | 申请日期 | 2010.09.13 |
| 申请人 | 北京大学 | 发明人 | 蔡一茂;黄如;秦石强;唐粕人;张丽杰;唐昱 |
| 分类号 | H01L27/24(2006.01)I;H01L45/00(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/24(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京万象新悦知识产权代理事务所(普通合伙) 11360 | 代理人 | 贾晓玲 |
| 主权项 | 一种三维结构阻变存储器阵列，其特征在于，包括衬底和底电极/隔离介质堆栈结构，在底电极/隔离介质堆栈结构上刻蚀而成多个深槽，在上述深槽内设有阻变材料层和顶电极材料层，形成十字交叉的横向底电极和纵向顶电极，交叉的底电极和顶电极之间为阻变材料，每个交叉结构为一个阻变存储单元，从而形成三维阻变存储器阵列。 | ||
| 地址 | 100871 北京市海淀区颐和园路5号 | ||