集成偏置线圈式巨磁阻抗效应磁敏传感器

摘要

一种微机电系统技术领域的集成偏置线圈式巨磁阻抗效应磁敏传感器，包括：表面氧化的Si衬底、曲折多匝传感器、螺线管偏置线圈以及绝缘材料，曲折多匝传感器位于螺线管偏置线圈的内部轴心位置，绝缘材料包裹于曲折多匝传感器外部，线圈位于Si衬底表面。本发明采用MEMS微机电系统技术加工了曲折形状的NiFe/Cu/NiFe三明治薄膜巨磁阻抗效应传感器和螺线管偏置线圈，传感器位于螺线管偏置线圈的轴心位置，通过在线圈中通过直流电流，利用其产生的磁场实现对GMI传感器的工作点的偏置，从而实现传感器的合理磁场工作区间范围。

主权项

一种集成偏置线圈式巨磁阻抗效应磁敏传感器，包括：表面氧化的Si衬底、曲折多匝传感器、螺线管偏置线圈以及绝缘材料，其特征在于：曲折多匝传感器位于螺线管偏置线圈的内部轴心位置，绝缘材料包裹于曲折多匝传感器外部，线圈位于Si衬底表面。