| 发明名称 | 在有源区接触沟槽中具有集成肖特基二极管的MOS器件 | ||
| 摘要 | 本发明涉及在有源区接触沟槽中具有集成肖特基二极管的MOS器件。提供一种形成在半导体衬底上的半导体器件，其包括：漏极；覆盖所述漏极的外延层；以及有源区。所述有源区包括：本体，所述本体置于所述外延层中，并具有本体顶表面和本体底表面；源极，所述源极嵌入在所述本体中，并从所述本体顶表面延伸至所述本体中；栅极沟槽，所述栅极沟槽延伸至所述外延层中；栅极，所述栅极置于所述栅极沟槽中；有源区接触沟槽，所述有源区接触沟槽通过所述源极和所述本体的至少一部分延伸至所述漏极中，其中所述有源区接触沟槽比所述本体底表面浅；以及有源区接触电极，所述有源区接触电极置于所述有源区接触沟槽内。 | ||
| 申请公布号 | CN101465374B | 申请公布日期 | 2011.02.16 |
| 申请号 | CN200810182319.5 | 申请日期 | 2008.11.21 |
| 申请人 | 万国半导体股份有限公司 | 发明人 | A·巴哈拉;王晓彬;潘继;S-P·魏 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人 | 王茂华 |
| 主权项 | 一种形成在半导体衬底上的半导体器件，包括：漏极；覆盖所述漏极的外延层；以及有源区，包括：本体，所述本体置于所述外延层中，并具有本体顶表面和本体底表面；源极，所述源极嵌入在所述本体中，并从所述本体顶表面延伸至所述本体中；栅极沟槽，所述栅极沟槽延伸至所述外延层中；栅极，所述栅极置于所述栅极沟槽中；有源区接触沟槽，所述有源区接触沟槽通过所述源极和所述本体的至少一部分延伸至所述漏极中，其中所述有源区接触沟槽比所述本体底表面浅；以及有源区接触电极，所述有源区接触电极置于所述有源区接触沟槽内；其中所述栅极沟槽是第一栅极沟槽；以及所述器件进一步包括端接区，所述端接区包括：第二栅极沟槽，所述第二栅极沟槽延伸至所述外延层中；第二栅极，所述第二栅极置于所述第二栅极沟槽中；以及栅极接触沟槽，所述栅极接触沟槽形成在所述第二栅极内。 | ||
| 地址 | 百慕大汉密尔顿 | ||