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发明名称 HALBLEITERBAUELEMENT MIT EINEM BIPOLAREN TRANSISTOR UND HERSTELLUNGSVERFAHREN DAFÜR
摘要
申请公布号 AT497637(T) 申请公布日期 2011.02.15
申请号 AT20060821136T 申请日期 2006.09.22
申请人 NXP B.V. 发明人 MEUNIER-BEILLARD, PHILIPPE;DUFFY, RAYMOND;AGARWAL, PRABHAT;HURKX, GODEFRIDUS
分类号 H01L29/737;H01L21/331;H01L29/08 主分类号 H01L29/737
代理机构 代理人
主权项
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