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发明名称 Method of Forming PN Diode in Phase Change Memory Device
摘要
申请公布号 KR101013448(B1) 申请公布日期 2011.02.14
申请号 KR20080092577 申请日期 2008.09.22
申请人 发明人
分类号 H01L27/115;H01L21/8247;H01L29/861 主分类号 H01L27/115
代理机构 代理人
主权项
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