CMOS-Bauelement mit molekularen Speicherelementen in einer Kontaktdurchführungsebene

摘要

Speicherzellen in integrierten Schaltungsbauelementen werden auf der Grundlage funktionaler Moleküle hergestellt, die innerhalb von Kontaktdurchführungsöffnungen auf der Grundlage geeigneter Strukturierungstechniken angeordnet werden, wobei diese Techniken auch zur Herstellung von halbleiterbasierten integrierten Schaltungen eingesetzt werden. Folglich können Speicherzellen auf einer "molekularen" Ebene hergestellt werden, ohne dass äußerst aufwendige Strukturierungsschemata, etwa Elektronenstrahllithographie und dergleichen, erforderlich sind.