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Die Erfindung betrifft eine hochohmige Siliziumcarbidschicht, umfassend Silizium und Carbid, die sich im Wesentlichen im stöchiometrischen Gleichgewicht befinden, ein Verfahren zur Herstellung einer hochohmigen Siliziumcarbidschicht sowie eine CVD (Chemical Vapor Deposition)-Anlage für die Herstellung einer hochohmigen Silizium-Carbidschicht. Die erfindungsgemäße hochohmige Siliziumcarbidschicht (2) umfasst Silizium und Carbid, die sich im Wesentlichen im stöchiometrischen Gleichgewicht befinden, und mindestens einen n-Dotierstoff und mindestens einen p-Dotierstoff, wobei der mindestens eine p-Dotierstoff den mindestens einen n-Dotierstoff zur Ausbildung der hochohmigen Siliziumcarbidschicht kompensiert.
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