| 发明名称 |
SCHOTTKY DIODE WITH SUBSTRATE PN DIODE |
| 摘要 |
<p>Es wird eine Halbleiteranordnung mit einer Trench-Junction-Barrier-Schottky-Diode mit integrierter Substrat-PN-Diode (TJBS-Sub-PN), als Klammerelement, die sich insbesondere als Z-Diode mit einer Durchbruchspannung von ca. 20V zum Einsatz in Kfz-Generatorsystemen eignet, beschrieben. Dabei besteht die TJBS-Sub-PN aus einer Kombination von Schottky-Diode, Epi-PN-Diode und Substrat-PN-Diode und die Durchbruchspannung der Substrat-PN-Diode BV_pn ist niedriger als die Durchbruchspannung der Schottky-Diode BV_schottky und die Durchbruchspannung der Epi-PN-Diode BV_epi.</p> |
| 申请公布号 |
WO2011015398(A1) |
申请公布日期 |
2011.02.10 |
| 申请号 |
WO2010EP58168 |
申请日期 |
2010.06.10 |
| 申请人 |
ROBERT BOSCH GMBH;QU, NING;GOERLACH, ALFRED |
发明人 |
QU, NING;GOERLACH, ALFRED |
| 分类号 |
H01L29/861;H01L29/872 |
主分类号 |
H01L29/861 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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