双面图形芯片正装先镀后刻模组封装方法

摘要

本发明涉及一种双面图形芯片正装先镀后刻模组封装方法，所述方法包括以下工艺步骤：取金属基板；金属基板正面进行金属层电镀被覆；金属基板进行背面蚀刻作业；金属基板背面进行包封无填料的塑封料(环氧树脂)作业；金属基板正面蚀刻作业；装片；打金属线；半成品正面进行包封有填料塑封料作业；基岛和引脚的背面进行金属层电镀被覆；切割，使原本以列阵式集合体方式连在一起的芯片一颗颗独立开来，制得双面图形芯片正装模组封装结构成品。本发明方法制备的芯片封装结构不会再有产生掉脚的问题和能使金属线的长度缩短。

主权项

一种双面图形芯片正装先镀后刻模组封装方法，其特征在于：所述方法包括以下工艺步骤：步骤一、取金属基板取一片厚度合适的金属基板，步骤二、金属基板正面及背面被覆光阻胶膜利用被覆设备在金属基板的正面及背面分别被覆可进行曝光显影的光阻胶膜，以保护后续的电镀金属层工艺作业，步骤三、金属基板正面的光阻胶膜进行需要电镀金属层区域的曝光/显影以及开窗利用曝光显影设备将步骤二完成光阻胶膜被覆作业的金属基板正面进行曝光显影去除部分光阻胶膜，以露出金属基板正面后续需要进行电镀金属层的区域，步骤四、金属基板正面已开窗的区域进行金属层电镀被覆对步骤三中金属基板正面已开窗的区域进行第一金属层电镀被覆，该第一金属层置于所述基岛与引脚的正面，步骤五、金属基板正面及背面进行光阻胶膜去膜将金属基板正面余下的光阻胶膜以及金属基板背面的光阻胶膜全部揭除，步骤六、金属基板正面及背面被覆光阻胶膜利用被覆设备在金属基板的正面及背面分别被覆可进行曝光显影的光阻胶膜，以保护后续的蚀刻工艺作业，步骤七、金属基板背面的光阻胶膜进行需要蚀刻区域的曝光/显影以及开窗利用曝光显影设备将步骤六完成光阻胶膜被覆作业的金属基板背面进行曝光显影去除部分光阻胶膜，以露出局部金属基板以备后续需要进行的金属基板背面蚀刻作业，步骤八、金属基板进行背面蚀刻作业完成步骤七的曝光/显影以及开窗作业后，即在金属基板的背面进行各图形的蚀刻作业，蚀刻出基岛和引脚的背面，同时将引脚正面尽可能的延伸到基岛旁边，步骤九、金属基板正面及背面进行光阻胶膜去膜将金属基板正面和背面余下的光阻胶膜全部揭除，步骤十、包封无填料的塑封料将已完成步骤九所述去膜作业的金属基板背面进行包封无填料的塑封料作业，并进行塑封料包封后的固化作业，使基岛和引脚外围的区域、引脚与基岛之间的区域以及引脚与引脚之间的区域均嵌置无填料的塑封料，该无填料的塑封料将基岛和引脚下部外围、引脚下部与基岛下部以及引脚下部与引脚下部连接成一体，步骤十一、被覆光阻胶膜利用被覆设备在将已完成包封无填料塑封料作业的金属基板的正面及背面分别被覆可进行曝光显影的光阻胶膜，以保护后续的蚀刻工艺作业，步骤十二、已完成包封无填料塑封料作业的金属基板的正面进行需要蚀刻区域的曝光/显影以及开窗利用曝光显影设备将步骤十一完成光阻胶膜被覆作业的已完成包封无填料塑封料作业的金属基板正面进行曝光显影去除部分光阻胶膜，以备后续需要进行金属基板正面蚀刻作业，步骤十三、金属基板正面蚀刻作业完成步骤十二的曝光/显影以及开窗作业后，即在完成包封无填料塑封料作业的金属基板正面进行各图形的蚀刻作业，蚀刻出基岛和引脚的正面，且使所述基岛和引脚的背面尺寸小于基岛和引脚的正面尺寸，形成上大下小的基岛和引脚结构，步骤十四、金属基板正面及背面进行光阻胶膜去膜将完成步骤十三蚀刻作业的金属基板正面余下的光阻胶膜以及金属基板背面的光阻胶膜全部揭除，制成引线框，步骤十五、装片在基岛正面第一金属层上通过导电或不导电粘结物质进行芯片的植入，步骤十六、打金属线将已完成芯片植入作业的半成品进行芯片正面与引脚正面第一金属层之间打金属线作业，步骤十七、包封有填料塑封料将已打线完成的半成品正面进行包封有填料塑封料作业，并进行塑封料包封后的固化作业，使基岛和引脚的上部以及芯片和金属线外均被有填料塑封料包封，步骤十八、基岛和引脚的背面进行金属层电镀被覆对已完成步骤十七包封有填料塑封料作业的所述基岛和引脚的背面进行第二金属层电镀被覆作业，步骤十九、切割成品将已完成步骤十八第二金属层电镀被覆的半成品进行切割作业，使原本以列阵式集合体方式连在一起的芯片一颗颗独立开来，制得双面图形芯片正装模组封装结构成品。